FGA6560WDF
FGA6560WDF
Hersteller: ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
verfügbar/auf Bestellung
auf Bestellung 317 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
auf Bestellung 317 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Technische Details FGA6560WDF
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN, Power - Max: 306 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Part Status: Active, Gate Charge: 84 nC, Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk.
Preis FGA6560WDF ab 4.05 EUR bis 4.05 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
FGA6560WDF Hersteller: ONSEMI Material: FGA6560WDF THT IGBT transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
FGA6560WDF Hersteller: ONSEMI Material: FGA6560WDF THT IGBT transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 60A 650V
|
auf Bestellung 279 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 60A 650V
|
auf Bestellung 384 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
FGA6560WDF Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: onsemi Description: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN Power - Max: 306 W Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Part Status: Active Gate Charge: 84 nC Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-3PN Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: onsemi Description: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN Power - Max: 306 W Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Part Status: Active Gate Charge: 84 nC Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-3PN Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|