FGAF40N60UFDTU

FGAF40N60UFDTU

FGAF40N60UFDTU

Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO3PF
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 77 nC
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Supplier Device Package: TO-3PF
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A

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Technische Details FGAF40N60UFDTU

Description: IGBT 600V 40A TO3PF, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 77 nC, Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns, Supplier Device Package: TO-3PF, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Packaging: Tube, Power - Max: 100 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A.

Preis FGAF40N60UFDTU ab 10.18 EUR bis 13.83 EUR

FGAF40N60UFDTU
FGAF40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FGAF40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor

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FGAF40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Material: FGAF40N60UFDTU THT IGBT transistors
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Hersteller: ONSEMI
Material: FGAF40N60UFDTU THT IGBT transistors
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FGAF40N60UFDTU
FGAF40N60UFDTU
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors Ultrafast
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FGAF40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors Ultrafast
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FGAF40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FGAF40N60UFDTU
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr): 95ns
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Gate Charge: 77nC
Input Type: Standard
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Power - Max: 100W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
Current - Collector (Ic) (Max): 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-3PF
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