FGAF40N60UFDTU
FGAF40N60UFDTU
Hersteller: onsemiDescription: IGBT 600V 40A TO3PF
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 77 nC
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Supplier Device Package: TO-3PF
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
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auf Bestellung 280 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details FGAF40N60UFDTU
Description: IGBT 600V 40A TO3PF, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 77 nC, Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns, Supplier Device Package: TO-3PF, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Packaging: Tube, Power - Max: 100 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A.
Preis FGAF40N60UFDTU ab 10.18 EUR bis 13.83 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FGAF40N60UFDTU Hersteller: ON Semiconductor
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10800 Stücke |
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FGAF40N60UFDTU Hersteller: ONSEMI Material: FGAF40N60UFDTU THT IGBT transistors
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FGAF40N60UFDTU Hersteller: ONSEMI Material: FGAF40N60UFDTU THT IGBT transistors
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 Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors Ultrafast
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors Ultrafast
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FGAF40N60UFDTU Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FGAF40N60UFDTU Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FGAF40N60UFDTU Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Reverse Recovery Time (trr): 95ns Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Gate Charge: 77nC Input Type: Standard Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off) Power - Max: 100W Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Current - Collector Pulsed (Icm): 160A Current - Collector (Ic) (Max): 40A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: TO-3PF
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auf Bestellung 3952 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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