Produkte > ONSEMI / FAIRCHILD > FGH20N60SFDTU
FGH20N60SFDTU

FGH20N60SFDTU onsemi / Fairchild


FGH20N60SFDTU_F085_D-2313335.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
auf Bestellung 1672 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+8.84 EUR
10+ 7.44 EUR
25+ 6.01 EUR
100+ 5.59 EUR
450+ 4.73 EUR
900+ 4.71 EUR
5400+ 4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FGH20N60SFDTU onsemi / Fairchild

Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns, Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 165 W.

Weitere Produktangebote FGH20N60SFDTU nach Preis ab 8.88 EUR bis 35.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Hersteller : ONSEMI FGH20N60SFDTU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 66W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 66W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178492-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH20N60SFDTU Hersteller : ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH20N60SFDTU
Produktcode: 191499
fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Hersteller : ON Semiconductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Hersteller : ON Semiconductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Hersteller : onsemi fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
Produkt ist nicht verfügbar