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FGHL40T65MQD

FGHL40T65MQD onsemi


FGHL40T65MQD_D-2313215.pdf Hersteller: onsemi
IGBT Transistors 650 V 40 A FS4
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Technische Details FGHL40T65MQD onsemi

Description: IGBT 650V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns, Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 86 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.

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FGHL40T65MQD FGHL40T65MQD Hersteller : onsemi fghl40t65mqd-d.pdf Description: IGBT 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
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FGHL40T65MQD Hersteller : ON Semiconductor fghl40t65mqd-d.pdf 650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
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