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FGY160T65SPD-F085

FGY160T65SPD-F085 onsemi / Fairchild

FGY160T65SPD_F085_D-2313430.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
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Technische Details FGY160T65SPD-F085 onsemi / Fairchild

Description: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 132 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns, Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off), Test Condition: 400V, 160A, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 882 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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FGY160T65SPD-F085 FGY160T65SPD-F085 Hersteller : onsemi fgy160t65spd-f085-d.pdf Description: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns
Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 160A, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 882 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FGY160T65SPD-F085 FGY160T65SPD-F085 Hersteller : ON Semiconductor fgy160t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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