FGY60T120SQDN onsemi
Hersteller: onsemiDescription: IGBT 1200V 60A UFS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 517 W
auf Bestellung 443 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 26.7 EUR |
| 30+ | 21.32 EUR |
| 120+ | 19.08 EUR |
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Technische Details FGY60T120SQDN onsemi
Description: IGBT 1200V 60A UFS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 517 W.
Weitere Produktangebote FGY60T120SQDN nach Preis ab 15.39 EUR bis 27.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FGY60T120SQDN | Hersteller : onsemi |
IGBT Transistors IGBT 1200V 60A UFS |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FGY60T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGY60T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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