FJI5603DTU

FJI5603DTU

Hersteller: ONSEMI
Material: FJI5603DTU NPN THT transistors
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Technische Details FJI5603DTU

Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Base Part Number: FJI5603, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Frequency - Transition: 5MHz, Power - Max: 100W, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800V, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Transistor Type: NPN, Part Status: Active, Packaging: Tube, Manufacturer: onsemi.

Preis FJI5603DTU ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: ONSEMI
Material: FJI5603DTU NPN THT transistors
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FJI5603DTU
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
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FJI5603DTU
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
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FJI5603DTU
Hersteller: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Base Part Number: FJI5603
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 5MHz
Power - Max: 100W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: onsemi
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