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Technische Details FJI5603DTU onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.
Weitere Produktangebote FJI5603DTU nach Preis ab 1.36 EUR bis 4.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FJI5603DTU | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
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| FJI5603DTU | Hersteller : ONSEMI |
FJI5603DTU NPN THT transistors |
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FJI5603DTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
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