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FJI5603DTU

FJI5603DTU ONSEMI

fji5603d-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 100W
Current gain: 20...35
Mounting: THT
Frequency: 5MHz
Kind of package: tube
Case: I2PAK
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Technische Details FJI5603DTU ONSEMI

Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Frequency - Transition: 5MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.

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FJI5603DTU FJI5603DTU Hersteller : onsemi / Fairchild FJI5603D_D-2313593.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
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FJI5603DTU FJI5603DTU Hersteller : onsemi fji5603d-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
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FJI5603DTU FJI5603DTU Hersteller : onsemi fji5603d-d.pdf Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Frequency - Transition: 5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
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