FJP13009

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
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Technische Details FJP13009

Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Operating Temperature: 150°C (TJ).

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Hersteller:

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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
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FJP13009
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Power - Max: 100 W
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Packaging: Tube
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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FJP13009
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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