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Technische Details FQA28N15 ONS
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
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FQA28N15 Produktcode: 52211 |
 Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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FQA28N15 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FQA28N15 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FQA28N15 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
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FQA28N15 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V N-Channel QFET |
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FQA28N15 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 23.3A; Idm: 132A; 227W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 23.3A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 227W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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