FQA28N15 ON Semiconductor
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 3.40 EUR |
| 450+ | 3.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FQA28N15 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQA28N15 nach Preis ab 2.52 EUR bis 8.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQA28N15 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
FQA28N15 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel QFET |
auf Bestellung 2586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
| FQA28N15 | Hersteller : ONS |
Транзистор польовий потужний MOSFET N-CH 150V 33A TO-3PN-3 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
 |
FQA28N15 Produktcode: 52211
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||
 |
FQA28N15 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
FQA28N15 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |