FQA70N10 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 3.7 EUR |
22+ | 3.35 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
30+ | 2.42 EUR |
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Technische Details FQA70N10 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQA70N10 nach Preis ab 2.42 EUR bis 6.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FQA70N10 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49.5A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA70N10 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA70N10 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA70N10 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel QFET |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FQA70N10 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA70N10 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 70 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 214 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 214 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA70N10 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA70N10 | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQA70N10 Produktcode: 116416 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQA70N10 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA70N10 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
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