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FQA70N10

FQA70N10 onsemi

fqa70n10-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
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Technische Details FQA70N10 onsemi

Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FQA70N10 FQA70N10 Hersteller : onsemi / Fairchild fqa70n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
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FQA70N10 FQA70N10 Hersteller : ON Semiconductor fqa70n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FQA70N10 FQA70N10 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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