FQL40N50F

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Technische Details FQL40N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-264-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V.

Preis FQL40N50F ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Hersteller:

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3033 Stücke
FQL40N50F
Hersteller: ONSEMI
Material: FQL40N50F THT N channel transistors
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Hersteller: FAIRCHIL
09+ DIP8
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FQL40N50F
Hersteller: Fairchild

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Hersteller: ONSEMI
Material: FQL40N50F THT N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel FRFET
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel FRFET
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FQL40N50F
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HPM F2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
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Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
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