FQP14N30 ON Semiconductor / Fairchild
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Technische Details FQP14N30 ON Semiconductor / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 9.1A, Pulsed drain current: 57.6A, Power dissipation: 147W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 290mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQP14N30
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQP14N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 300V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP14N30 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 57.6A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 290mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP14N30 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP14N30 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 57.6A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 290mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |