FQP14N30 Fairchild Semiconductor


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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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Technische Details FQP14N30 Fairchild Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 9.1A, Power dissipation: 147W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 57.6A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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