FQP27P06 ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 30+ | 2.42 EUR |
| 33+ | 2.19 EUR |
| 37+ | 1.94 EUR |
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Technische Details FQP27P06 ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQP27P06 nach Preis ab 1.5 EUR bis 6.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FQP27P06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V P-Channel QFET |
auf Bestellung 20288 Stücke: Lieferzeit 923-937 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 120W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Rds(on)-Prüfspannung: 10V hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQP27P06 | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP27P06 Produktcode: 197511 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQP27P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP27P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |