
FQP27P06 ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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Technische Details FQP27P06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FQP27P06 nach Preis ab 0.71 EUR bis 6.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FQP27P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : UMW |
![]() Packaging: Tube |
auf Bestellung 2883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1534 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 24489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 3657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 17468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP27P06 | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP27P06 Produktcode: 197511
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FQP27P06 | Hersteller : ON Semiconductor |
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