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FQP27P06

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Produktcode: 197511
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP27P06 FQP27P06 ON Semiconductor fqp27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
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115+1.27 EUR
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FQP27P06 FQP27P06 ON Semiconductor fqp27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
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110+1.32 EUR
115+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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FQP27P06 FQP27P06 ON Semiconductor fqp27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.05 EUR
250+1.82 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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FQP27P06 FQP27P06 UMW 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 1951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
11+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI FQP27P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
31+2.32 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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FQP27P06 FQP27P06 ON Semiconductor fqp27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.28 EUR
68+2.05 EUR
100+1.78 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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FQP27P06 FQP27P06 ON Semiconductor fqp27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.29 EUR
68+2.1 EUR
100+1.85 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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FQP27P06 FQP27P06 onsemi fqp27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 13498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
50+2.17 EUR
100+1.95 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.36 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FQP27P06 FQP27P06 onsemi fqp27p06-d.pdf 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 6276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
10+2.2 EUR
100+1.92 EUR
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FQP27P06 FQP27P06 ON-Semiconductor info-tfqp27p06.pdf P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI ONSM-S-A0013297751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQP27P06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 115
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FQP27P06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
110+1.32 EUR
115+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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FQP27P06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+2.05 EUR
250+1.82 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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FQP27P06
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 1951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.64 EUR
11+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FQP27P06 FQP27P06.pdf
FQP27P06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
31+2.32 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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FQP27P06 fqp27p06-d.pdf
FQP27P06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+4.28 EUR
68+2.05 EUR
100+1.78 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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FQP27P06 fqp27p06-d.pdf
FQP27P06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+4.29 EUR
68+2.1 EUR
100+1.85 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.41 EUR
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FQP27P06
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 13498 Stücke:
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Anzahl Preis
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2000+1.36 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FQP27P06 fqp27p06-d.pdf 4bfca958aa085629ef6c475bc6f504e4.pdf
FQP27P06
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 6276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.42 EUR
10+2.2 EUR
100+1.92 EUR
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FQP27P06
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FQP27P06 ONSM-S-A0013297751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP27P06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9545 Stücke:
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