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FQP27P06 ON Semiconductor

Name: FQP27P06
Brand: ON Semiconductor
SKU: 33403879-5
Price: 145.53 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Technische Details FQP27P06 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FQP27P06

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP27P06

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP27P06

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Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP27P06

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Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP27P06

Hersteller : ONSEMI

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQP27P06

Hersteller : ONSEMI

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FQP27P06

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

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50+	2.23 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.47 EUR
2000+	1.4 EUR
5000+	1.36 EUR

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FQP27P06

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs 60V P-Channel QFET

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FQP27P06

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013297751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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FQP27P06

Hersteller : ON-Semicoductor

P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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FQP27P06
Produktcode: 197511

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