G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor
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Technische Details G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 536W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote G2R50MT33K nach Preis ab 402.8 EUR bis 714.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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G2R50MT33K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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G2R50MT33K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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G2R50MT33K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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G2R50MT33K | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G2R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G2R50MT33K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| G2R50MT33K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
3300V 50mΩ TO-247-4 SiC MOSFET, TO-247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G2R50MT33K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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