GB05MPS33-263

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY 3300V 5A TO-263-7
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 14A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz

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Technische Details GB05MPS33-263

Description: SIC SCHOTTKY 3300V 5A TO-263-7, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Diode Type: Silicon Carbide Schottky, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263-7, Current - Average Rectified (Io): 14A (DC), Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz.

Preis GB05MPS33-263 ab 72.47 EUR bis 86.66 EUR

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor Inc.
Material: GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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Material: GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
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