GD20MPS12H

GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR


GD20MPS12H.pdf Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.54 EUR
10+ 7.52 EUR
11+ 7.11 EUR
120+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Weitere Produktangebote GD20MPS12H nach Preis ab 6.84 EUR bis 11.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
GD20MPS12H GD20MPS12H Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.54 EUR
10+ 7.52 EUR
11+ 7.11 EUR
120+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
GD20MPS12H GD20MPS12H Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 3119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+11.58 EUR
10+ 10.39 EUR
25+ 9.96 EUR
100+ 9.34 EUR
250+ 8.95 EUR
500+ 8.68 EUR
1000+ 8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
GD20MPS12H GD20MPS12H Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H-3479365.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+11.69 EUR
10+ 10.51 EUR
30+ 10.07 EUR
120+ 9.45 EUR
270+ 9.05 EUR
510+ 8.76 EUR
1020+ 8.48 EUR
GD20MPS12H GD20MPS12H Hersteller : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
GD20MPS12H GD20MPS12H Hersteller : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
GD20MPS12H Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar