GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 7A, Max. load current: 11A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: MPS, Case: TO220-2, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 22A, Max. forward voltage: 1.75V, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
Weitere Produktangebote GE04MPS06A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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GE04MPS06A | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 7A Max. load current: 11A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 22A Max. forward voltage: 1.75V Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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GE04MPS06A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
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GE04MPS06A | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 7A Max. load current: 11A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 22A Max. forward voltage: 1.75V |
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