GE08MPS06E

GE08MPS06E

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A (DC)
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V

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Technische Details GE08MPS06E

Description: 650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Silicon Carbide Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 21A (DC), Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.

Preis GE08MPS06E ab 4.26 EUR bis 6.34 EUR

GE08MPS06E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor Inc.
Material: GE08MPS06E SMD Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor Inc.
Material: GE08MPS06E SMD Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A (DC)
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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