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GF1D-E3/67A

GF1D-E3/67A Vishay


gf1.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R
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Technische Details GF1D-E3/67A Vishay

Description: VISHAY - GF1D-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214BA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: GF1D, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : Vishay gf1.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : Vishay gf1.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : Vishay gf1.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : Vishay General Semiconductor gf1.pdf Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : VISHAY gf1.pdf Description: VISHAY - GF1D-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214BA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013314128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - GF1D-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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GF1D-E3/67A GF1D-E3/67A Hersteller : Vishay gf1.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2000ns 2-Pin DO-214BA T/R
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GF1D-E3/67A Hersteller : VISHAY gf1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 2us; DO214BA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 15pF
Case: DO214BA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
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305+ 0.23 EUR
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GF1D-E3/67A Hersteller : VISHAY gf1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 2us; DO214BA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 15pF
Case: DO214BA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
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