HER307G
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details HER307G
Description: DIODE GEN PURP 3A 800V DO-201AD, Package / Case: DO-201AD, Axial, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Standard, Mounting Type: Through Hole.
Preis HER307G ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - HER307G+ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassspannung Vf max.: 1.7 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 75 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800 SVHC: Lead (19-Jan-2021) 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassspannung Vf max.: 1.7 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 75 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
|
6036 Stücke |
|
|
|
HER307G Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Material: HER307G-YAN THT universal diodes |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Taiwan Semiconductor Rectifiers 75ns, 3A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 3A 800V DO-201AD Package / Case: DO-201AD, Axial Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Diode Type: Standard Mounting Type: Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|