HER307G

HER307G

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: HER307G-YAN THT universal diodes
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Technische Details HER307G

Description: DIODE GEN PURP 3A 800V DO-201AD, Package / Case: DO-201AD, Axial, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Standard, Mounting Type: Through Hole.

Preis HER307G ab 0 EUR bis 0 EUR

HER307G+
HER307G+
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - HER307G+ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
2863975.pdf
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HER307G
HER307G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
TWSC-S-A0013443267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6036 Stücke
HER307G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: HER307G-YAN THT universal diodes
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HER307G
HER307G
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 75ns, 3A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier
HER301G_SERIES_I2105-2822000.pdf
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HER307G
HER307G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A 800V DO-201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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