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HER307G

HER307G Taiwan Semiconductor

HER301G SERIES_I2105.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 75ns, 3A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier
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Technische Details HER307G Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HER307G HER307G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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HER307G HER307G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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HER307G Hersteller : Yangjie Electronic Technology HER301G SERIES_I2105.pdf High Efficient Rectifier
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1250+0.15 EUR
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HER307G Hersteller : Taiwan Semiconductor her301gseries_i2105.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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HER307G+ HER307G+ Hersteller : MULTICOMP PRO 2863975.pdf Description: MULTICOMP PRO - HER307G+ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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HER307G HER307G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B489CEA7F7300A16&compId=HER301G_SER.pdf?ci_sign=d0b237332202120bd9f7c6a28c4951805142873c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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HER307G HER307G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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HER307G HER307G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B489CEA7F7300A16&compId=HER301G_SER.pdf?ci_sign=d0b237332202120bd9f7c6a28c4951805142873c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
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