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Technische Details HUF76423P3 onsemi / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 23A, On-state resistance: 35mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 85W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 34nC, Technology: UltraFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±16V, Mounting: THT, Case: TO220AB, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote HUF76423P3 nach Preis ab 1.48 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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HUF76423P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 27900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HUF76423P3 | Hersteller : Fairchild |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HUF76423P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 60V Drain current: 23A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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HUF76423P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HUF76423P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF76423P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3 |
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HUF76423P3 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
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HUF76423P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 60V Drain current: 23A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT Case: TO220AB |
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