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IPA60R160P6

IPA60R160P6 Infineon Technologies

infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA60R160P6 Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V.

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IPA60R160P6 IPA60R160P6 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA60R160P6 IPA60R160P6 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPX60R160P6_DS_v02_02_EN-1659685.pdf MOSFET N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
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IPA60R160P6 IPA60R160P6 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
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