IPA60R160P6 Infineon Technologies


infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA60R160P6 Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPA60R160P6 IPA60R160P6 Infineon Technologies Infineon_IPX60R160P6_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
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IPA60R160P6 IPA60R160P6 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 23.8A; Idm: 68A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 23.8A; Idm: 68A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
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Case: TO220-3
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Kind of channel: enhancement
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