IRF510STRLPBF
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Technische Details IRF510STRLPBF
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V.
Preis IRF510STRLPBF ab 2.21 EUR bis 3.82 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 
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IRF510STRLPBF Hersteller: VISHAY Material: IRF510STRLPBF SMD N channel transistors
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IRF510STRLPBF Hersteller: VISHAY Material: IRF510STRLPBF SMD N channel transistors
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: D2PAK Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
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auf Bestellung 429 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR)
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