IRF510STRLPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
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Technische Details IRF510STRLPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V.

Preis IRF510STRLPBF ab 2.21 EUR bis 3.82 EUR

IRF510STRLPBF
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF510STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF510STRLPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: IRF510STRLPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
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IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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