IRF520SPBF
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Technische Details IRF520SPBF
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Preis IRF520SPBF ab 2.17 EUR bis 3.77 EUR
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IRF520SPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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