| Anzahl | Preis |
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| 128+ | 1.12 EUR |
| 140+ | 0.98 EUR |
| 149+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
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Technische Details IRF520SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF520SPBF nach Preis ab 0.72 EUR bis 3.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF520SPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Channel 100V |
auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF520SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF520SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF520SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Код виробника: SiHF520S-E3 HEXFET N-CH 100V 9.2 A D2PAK=TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |