IRF610STRRPBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF610STRRPBF

Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263).

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
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IRF610STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
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