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Technische Details IRF730APBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF730APBF nach Preis ab 1.39 EUR bis 4.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 400V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF730APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 3168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF730APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRF730APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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