IRF730APBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4 EUR |
| 50+ | 1.97 EUR |
| 100+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
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Technische Details IRF730APBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF730APBF - MOSFET, N-KANAL, 400V, 5.5A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF730APBF nach Preis ab 1.34 EUR bis 4.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 3392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730APBF - MOSFET, N-KANAL, 400V, 5.5A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF730APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF730APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |