IRF730ASPBF Vishay Semiconductors
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.53 EUR |
10+ | 2.04 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
500+ | 1.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF730ASPBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Weitere Produktangebote IRF730ASPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 4.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF730ASPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 1876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 1876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
IRF730ASPBF Produktcode: 32240 |
Hersteller : Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak Uds,V: 400 Idd,A: 05.05.2015 Rds(on), Ohm: 1 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 600/22 JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
|||||||||||||
IRF730ASPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRF730ASPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |