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IRF730ASPBF

IRF730ASPBF Vishay Semiconductors

sihf730a.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 854 Stücke:
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Technische Details IRF730ASPBF Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF730ASPBF IRF730ASPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 447 Stücke:
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5+4.05 EUR
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100+2.09 EUR
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IRF730ASPBF IRF730ASPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF730ASPBF IRF730ASPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF730ASPBF IRF730ASPBF
Produktcode: 32240
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Hersteller : Fairchild sihf730a.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 400
Idd,A: 05.05.2015
Rds(on), Ohm: 1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/22
JHGF: SMD
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IRF730ASPBF IRF730ASPBF Hersteller : Vishay sihf730a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF730ASPBF IRF730ASPBF Hersteller : Vishay sihf730a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF730ASPBF Hersteller : VISHAY sihf730a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF730ASPBF Hersteller : VISHAY sihf730a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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