
IRF730ASPBF Vishay Semiconductors
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Anzahl | Preis |
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1+ | 3.91 EUR |
10+ | 2.9 EUR |
25+ | 2.25 EUR |
100+ | 2.15 EUR |
500+ | 1.76 EUR |
1000+ | 1.58 EUR |
2000+ | 1.52 EUR |
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Technische Details IRF730ASPBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF730ASPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 4.05 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IRF730ASPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
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IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730ASPBF Produktcode: 32240
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 400 Idd,A: 05.05.2015 Rds(on), Ohm: 1 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 600/22 JHGF: SMD |
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IRF730ASPBF | Hersteller : Vishay |
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IRF730ASPBF | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF730ASPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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