IRF730SPBF

IRF730SPBF

Hersteller: VISHAY
Material: IRF730SPBF SMD N channel transistors
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Technische Details IRF730SPBF

Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.

Preis IRF730SPBF ab 0.86 EUR bis 6.55 EUR

IRF730SPBF
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
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Hersteller: VISHAY
Material: IRF730SPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
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IRF730S MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
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IRF730SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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