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IRF7313 ( IRF7313TRPBF )

IRF7313 ( IRF7313TRPBF )

irf7313 -datasheet.pdf
Produktcode: 23579
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 06.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.29
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS18060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7313TRPBF irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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KBU810 (диодный мост)
Produktcode: 172120		 KBU810.pdf
KBU810 (диодный мост)
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Urew: 1000 V
I dir: 8 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KBU8005, KBU801, KBU802, KBU804, KBU806, KBU808, KBU8A, KBU8B, KBU8D, KBU8G, KBU8J, KBU8K, KBU8M, KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6K, KBU6M, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU610, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 300 A
auf Bestellung 949 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LM324D
Produktcode: 177485		 LM124-datasheet.pdf
LM324D
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-14
Vc, V: ±16 V
Vio, mV(Biasspannung): 3 mV
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: THT
auf Bestellung 593 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1215		 RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 7819 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 45000 Stück:
40000 Stück - erwartet
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100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SS14
Produktcode: 1577		 SS14.pdf
SS14
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 11348 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.022 EUR
1000+ 0.018 EUR
13 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1221		 RC_series.pdf
13 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 13 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 15779 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0038 EUR
100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10