IRF7313 ( IRF7313TRPBF )
Produktcode: 23579
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 06.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.29
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: 2N
JHGF: SMD
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.37 EUR |
| 10+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
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Weitere Produktangebote IRF7313 ( IRF7313TRPBF ) nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | International Rectifier |
SO-8 Транзистори |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 3376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 54713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7313TRPBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
verfügbar 70 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF7313TRPBF |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.48 EUR |
| 8000+ | 0.44 EUR |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.97 EUR |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.1 EUR |
| 96+ | 0.75 EUR |
| 139+ | 0.51 EUR |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 108+ | 1.34 EUR |
| 156+ | 0.92 EUR |
| 223+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 54713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.9 EUR |
| 15+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2000+ | 0.5 EUR |
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
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Stück im Wert von UAH
| IRF7313TRPBF | ![]() |
![]() |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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| Adapter SO8/MSOP8-DIP8 2-seitig Produktcode: 88555
8
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Lieblingsprodukt
|
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
auf Bestellung 683 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 5 St.:
5 St. - erwartet| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.29 EUR |
| 10+ | 0.24 EUR |
| IRF7389PBF Produktcode: 25148
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Lieblingsprodukt
|
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 7,3/5,3A
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: HalbbruckeN+P (7,3/5,3A)
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 7,3/5,3A
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: HalbbruckeN+P (7,3/5,3A)
JHGF: SMD
auf Bestellung 31 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.46 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| MC33063ADR Produktcode: 36210
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 1,5A
Fosc, kHz: 100
Temperaturbereich: -40…+85°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 1,5A
Fosc, kHz: 100
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 641 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.42 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| Макетная плата 2x8 двухсторонняя, зеленая Produktcode: 144385
9
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 6 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 3000 St.:
3000 St. - erwartetIm Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Кабельная стяжка 100х3мм (3*100) Produktcode: 180623
2
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Ruicheng
Verstärkungs- und Metallstangen > Kabelbinder
Опис: Кабельна стяжка нейлонова, упаковка 100 штук
Довжина, мм: 100
Ширина, мм: 3
Матеріал: Нейлон
Verstärkungs- und Metallstangen > Kabelbinder
Опис: Кабельна стяжка нейлонова, упаковка 100 штук
Довжина, мм: 100
Ширина, мм: 3
Матеріал: Нейлон
auf Bestellung 1666 Verpackung:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 2000 Verpackung:
2000 Verpackung - erwartet 02.09.2026Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH










