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IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Produktcode: 25148
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: HalbbruckeN+P (5,3A)
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
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10+1.37 EUR
100+0.91 EUR
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2000+0.61 EUR
4000+0.55 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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100+0.91 EUR
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2000+0.62 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF7389-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7313 ( IRF7313TRPBF )
Produktcode: 23579
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irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313 ( IRF7313TRPBF )
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 06.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.29
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: 2N
JHGF: SMD
verfügbar: 269 St.
12 St. - stock Köln
257 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Schutz- und Isolierlack PVB60 Flasche 50ml Universal-Lack für Leiterplatten u.ä.
Produktcode: 110161
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description
Schutz- und Isolierlack PVB60 Flasche 50ml Universal-Lack für Leiterplatten u.ä.
+1
Hersteller: AG Termopasty
Chemie > Schutzbeschichtungen
Опис: Універсальний лак для друкованих плат. Ізолює і оберігає широко вживану електроніку, кабелі та дроти, трансформатори високої напруги, обмотки електричних двигунів; В автомобільній промисловості, щоб уникнути короткого замикання; Пластикові ущільнення корпусів вилок і розеток; В енергетиці та електромеханіці для створення захисного шару.
Призначення: Друковані плати, кабелі та проводи, трансформатори високої напруги, витки електричних двигунів
Упаковка: 50мл
verfügbar: 57 St.
erwartet: 504 St.
504 St. - erwartet
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470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano)
Produktcode: 2617
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ELP_080522.pdf
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano)
+1
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 30x50mm
Lebensdauer: 30х50mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 117 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+4.52 EUR
100+3.92 EUR
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6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano)
Produktcode: 2461
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ECR_081225.pdf
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 6800uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x32mm
Lebensdauer: 16х32mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 222 St.
6 St. - stock Köln
216 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.42 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
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BTB12-600CWRG
Produktcode: 1984
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BTA,BTB12.pdf
BTB12-600CWRG
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600
I-auf, mA: 35
I max, A: 12
auf Bestellung 8 St.:
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