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IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Produktcode: 25148
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: HalbbruckeN+P (5,3A)
JHGF: SMD
verfügbar 178 Stück:
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Technische Details IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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1000+ 0.71 EUR
4000+ 0.6 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389PBF Hersteller : IR irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon (IRF) irf7389.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of channel: enhanced
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IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076		 irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 7517 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.09 EUR
10+ 0.08 EUR
IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596		 irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 5909 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.13 EUR
10+ 0.11 EUR
100+ 0.1 EUR
IRF7105
Produktcode: 32592		 description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25
Idd,A: 3.5 (2.3)
Rds(on), Ohm: 0.1(0.25)
Ciss, pF/Qg, nC: 04.09.330
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 54 Stück
erwartet: 200 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.42 EUR
10+ 0.29 EUR
SCB1207-100М (10uH, ±20%, 5.4A, 0.0216 Ohm, SMD: 12x12mm, h=8mm; im gepanzerten Kern) Anla Tech
Produktcode: 39174		 SCB-1.pdf
SCB1207-100М (10uH, ±20%, 5.4A, 0.0216 Ohm, SMD: 12x12mm, h=8mm; im gepanzerten Kern) Anla Tech
Hersteller: AnlaTech/IH
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 10 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 10uH, ±20%, Idc=5.4А, Rdc=0.0216 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,0x12,0mm, h=6,0mm
Робочий струм, А: 5.4A
№ 7: 8504 50 20 90
auf Bestellung 95 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.44 EUR
10+ 0.38 EUR
EIC-402 (макетная плата 840 контактов))
Produktcode: 119822
EIC-402 (макетная плата 840 контактов))
Hersteller: E-CALL
Steckbretter > Experimentierplatinen (Steckplatinen)
Beschreibung: 165,1x54,6x8,5мм
Beschreibung: 840
№ 4: Макетна плата без пайки
№ 6: Макетна плата (Breadboard), 840 контактів, крок: 2,54мм, матеріал: ABS; матеріал пружинних контактів: фосфориста бронза покрита нікелем. Упаковка: блістер. 
№ 7: 165,1 мм
№ 8: 54,6 мм
auf Bestellung 48 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)