
IRF7389PBF

Produktcode: 25148
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: HalbbruckeN+P (5,3A)
JHGF: SMD
auf Bestellung 137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.46 EUR |
10+ | 0.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7389PBF IR
- MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:NP
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:7.3A
- On State Resistance:0.046ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Cont Current Id P Channel:5.3A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.029ohm
- Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
- Max Voltage Vds:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- Min Voltage Vgs th:1V
- Min Voltage Vgs th P Channel:1V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation P Channel 2:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:30A
- Pulse Current Idm P Channel:30A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7389
- Transistor Case Style:SOIC
Weitere Produktangebote IRF7389PBF nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.82 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 13735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 1296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 7767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
IRF7389PBF | Hersteller : IR |
![]() |
auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7.3/-5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7389TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7.3/-5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 20502 Stück
60 Stück - stock Köln
20442 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
20442 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.09 EUR |
10+ | 0.08 EUR |
AP4525GEH Produktcode: 36912
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Advanced
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252-4L
Uds,V: 40
Idd,A: 12 А
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252-4L
Uds,V: 40
Idd,A: 12 А
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
verfügbar: 112 Stück
12 Stück - stock Köln
100 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
100 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.80 EUR |
10+ | 0.72 EUR |
LT1085IT-5#PBF Produktcode: 181889
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BZV55-C12 Produktcode: 1357
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
№ 6: 8541100090
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.02 EUR |
1000+ | 0.02 EUR |
1,5pF 50V NP0 0,25pF 0805 4k/reel (C0805N1R5C500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1287
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1,5pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±0,25pF C
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1,5pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±0,25pF C
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 9362 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 0.02 EUR |
100+ | 0.01 EUR |
1000+ | 0.01 EUR |
10000+ | 0.01 EUR |