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IRF7389PBF

IRF7389PBF

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Produktcode: 25148
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
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  • 27 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.58 EUR
8000+0.52 EUR
12000+0.49 EUR
20000+0.45 EUR
28000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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4000+0.58 EUR
8000+0.54 EUR
12000+0.51 EUR
20000+0.48 EUR
28000+0.45 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.61 EUR
8000+0.56 EUR
12000+0.54 EUR
20000+0.51 EUR
28000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3046 Stücke:
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896+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 896 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 13710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2 EUR
129+1.32 EUR
190+0.87 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.45 EUR
8000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 13710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2 EUR
129+1.34 EUR
190+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.51 EUR
8000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 35157 Stücke:
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9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
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2000+0.65 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.17 EUR
1000+1 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.8 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
105+2.23 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
105+2.23 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.58 EUR
8000+0.52 EUR
12000+0.49 EUR
20000+0.45 EUR
28000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.58 EUR
8000+0.54 EUR
12000+0.51 EUR
20000+0.48 EUR
28000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.58 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.58 EUR
8000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
8000+0.56 EUR
12000+0.54 EUR
20000+0.51 EUR
28000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
896+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 896 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 13710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2 EUR
129+1.32 EUR
190+0.87 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.45 EUR
8000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 13710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2 EUR
129+1.34 EUR
190+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.51 EUR
8000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 35157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
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2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.64 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.17 EUR
1000+1 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
105+2.23 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRF7313TRPBF
Produktcode: 23579
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description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
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LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
Produktcode: 110161
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description
LACK PVB 60 (PVB60-50ML)LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
LACK PVB 60 (PVB60-50ML)LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
Hersteller: AG TermoPasty
Chemie > Schutzbeschichtungen
Beschreibung: Universallack für Leiterplatten. Isoliert und schützt weit verbreitete Elektronik, Kabel und Drähte, Hochspannungstransformatoren, Wicklungen von Elektromotoren; In der Automobilindustrie zur Vermeidung von Kurzschlüssen; Kunststoffdichtungen von Stecker- und Steckdosengehäusen; In der Energietechnik und Elektromechanik zur Bildung einer Schutzschicht.
Verwendungszweck: Leiterplatten, Kabel und Leitungen, Hochspannungstransformatoren, Wicklungen von Elektromotoren
Verpackung: 50 ml
auf Bestellung: 470 St.
  • 470 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+5.64 EUR
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330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2933
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ECR_081225.pdf
330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x13 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet 01.11.2026
auf Bestellung: 690 St.
  • 690 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.1 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.07 EUR
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470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2617
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ELP_080522.pdf
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 400 V
Reihe: ELP
Typ: mit starren Anschlüssen, 85°C
Temperaturbereich: -25...+85°C
Abmessungen: 30x50 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 55 St.
  • 55 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6 EUR
10+5.38 EUR
100+4.78 EUR
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6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2461
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ECR_081225.pdf
6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 6800 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x32 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 213 St.
  • 213 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
10+0.6 EUR
100+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
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