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IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Produktcode: 25148
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
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Technische Details IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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4000+0.63 EUR
8000+0.61 EUR
12000+0.57 EUR
20000+0.55 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.71 EUR
8000+0.67 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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741+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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80+2.2 EUR
116+1.48 EUR
164+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.48 EUR
8000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.55 EUR
8000+0.54 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 35167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
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2000+0.77 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
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2000+0.9 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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2000+0.54 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.71 EUR
8000+0.67 EUR
12000+0.64 EUR
20000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
741+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 741 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 13710 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
80+2.2 EUR
116+1.48 EUR
164+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.48 EUR
8000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description irf7389.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 13710 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
80+2.21 EUR
115+1.51 EUR
163+1.05 EUR
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1000+0.74 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.55 EUR
8000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 35167 Stücke:
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8+2.81 EUR
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1000+0.84 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7389TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
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2000+0.9 EUR
4000+0.8 EUR
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IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3600 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7313TRPBF
Produktcode: 23579
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IRF7313TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 264 St.
  • 12 St. - stock Köln
  • 252 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.42 EUR
100+0.38 EUR
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LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
Produktcode: 110161
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LACK PVB 60 (PVB60-50ML)LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
LACK PVB 60 (PVB60-50ML)LACK PVB 60 (PVB60-50ML)
Hersteller: AG TermoPasty
Chemie > Schutzbeschichtungen
Beschreibung: Universallack für Leiterplatten. Isoliert und schützt weit verbreitete Elektronik, Kabel und Drähte, Hochspannungstransformatoren, Wicklungen von Elektromotoren; In der Automobilindustrie zur Vermeidung von Kurzschlüssen; Kunststoffdichtungen von Stecker- und Steckdosengehäusen; In der Energietechnik und Elektromechanik zur Bildung einer Schutzschicht.
Verwendungszweck: Leiterplatten, Kabel und Leitungen, Hochspannungstransformatoren, Wicklungen von Elektromotoren
Verpackung: 50 ml
verfügbar: 7 St.
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    330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 2933
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    330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 330 µF
    Nennspannung: 35 V
    Reihe: ECR
    Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
    Temperaturbereich: -40...+85°C
    Abmessungen: 10x13 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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    470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 2617
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    470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)470uF 400V ELP 30x50mm (ELP471M2GBA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 470 µF
    Nennspannung: 400 V
    Reihe: ELP
    Typ: mit starren Anschlüssen, 85°C
    Temperaturbereich: -25...+85°C
    Abmessungen: 30x50 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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    6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 2461
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    6800uF 16V ECR 16x32mm (ECR682M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 6800 µF
    Nennspannung: 16 V
    Reihe: ECR
    Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
    Temperaturbereich: -40...+85°C
    Abmessungen: 16x32 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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