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IRF7328PBF

IRF7328PBF

irf7328pbf.pdf
Produktcode: 28319
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 8
Rds(on),Om: 0.021
Ciss, pF/Qg, nC: 2675/52
Gebr.: 2P
/: SMD
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IRF7328PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7328pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f60f931b53 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2675 @ 25; Qg, нКл = 78 @ 10 В; Rds = 21 мОм @ 8 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
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IRF7328PBF IRF7328PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7328pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f60f931b53 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7328PBF IRF7328PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7328_DataSheet_v01_01_EN-3223886.pdf MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
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