IRF7328PBF
Produktcode: 28319
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 8
Rds(on),Om: 0.021
Ciss, pF/Qg, nC: 2675/52
Gebr.: 2P
/: SMD
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Weitere Produktangebote IRF7328PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7328PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2675 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 21 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
verfügbar 44 Stücke: |
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| IRF7328PBF | Hersteller : Infineon |
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF7328PBF | Hersteller : International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7328PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7328PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |