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IRF7842PBF

IRF7842PBF

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Produktcode: 23513
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 40
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/33
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7842PBF IRF7842PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
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IRF7842PBF IRF7842PBF Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRF7842_DataSheet_v01_01_EN-1732497.pdf MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
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