IRF7842PBF
Produktcode: 23513
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 40
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/33
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7842PBF | International Rectifier |
SO-8 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRF7842PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRF7842PBF | Infineon / IR |
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC |
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| IRF7842PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
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| IRF7842PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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| IRF7842PBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
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