IRF820STRRPBF
IRF820STRRPBF
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
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Technische Details IRF820STRRPBF
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active.
Preis IRF820STRRPBF ab 3.58 EUR bis 4.94 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF820STRRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: D2PAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active
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auf Bestellung 800 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
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