IRF840LCSPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
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Technische Details IRF840LCSPBF

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel.

Preis IRF840LCSPBF ab 6.89 EUR bis 8.01 EUR

IRF840LCSPBF
Hersteller: VISHAY

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IRF840LCSPBF
IRF840LCSPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840LCSPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF840LCSPBF
IRF840LCSPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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