IRF840STRRPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
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Technische Details IRF840STRRPBF

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 125W (Tc).

Preis IRF840STRRPBF ab 4 EUR bis 7.93 EUR

IRF840STRRPBF
IRF840STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller:

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF840STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
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IRF840STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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IRF840STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
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