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Technische Details IRF9530STRLPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Weitere Produktangebote IRF9530STRLPBF nach Preis ab 1.63 EUR bis 4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -12A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -12A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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