IRF9530STRLPBF
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Technische Details IRF9530STRLPBF
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis IRF9530STRLPBF ab 2.03 EUR bis 7.07 EUR
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IRF9530STRLPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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auf Bestellung 795 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
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auf Bestellung 4544 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800 Stücke |
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IRF9530STRLPBF Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 12 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 3.7 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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246 Stücke |
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 12 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 3.7 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 1221 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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