IRF9530STRLPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 1.70 EUR |
| 1600+ | 1.68 EUR |
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Technische Details IRF9530STRLPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF9530STRLPBF nach Preis ab 1.69 EUR bis 4.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 1864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9530STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -48A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9530STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -48A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |